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脉冲宽度分别为1ms,力中100µs,1µs,100ns和10ns。长期(e)沟道电导增加(红色)和减少(蓝色)时的器件间非线性分布。

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(h)从LixSiO2电解质到α-Nb2O5沟道的Li+在初始、山东省电试行经历正栅压和负栅压后的深度分布,表明Li+嵌入到α-Nb2O5沟道层中。力中(b)制备的EGT阵列的图像(左)和单个EGT单元的放大图像(右)。

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长期(c)最大动态开关能量(Emax)与器件面积A在双对数坐标下的线性比例关系。

相关研究:交易1、交易 C.B.Bu,H.Xu,D.S.Shang,*Y.Li,H.B.Lv,Q.Liu,Ion-gatedtransistor:Anenablerforsensingandcomputingintegration,Adv.Intell.Syst.2000156(2020)2、S.Yang,D.S.Shang,*N.Liu,E.J.Fuller,S.Agrawal,A.A.Talin,Y.Q.Li,B.G.Shen,Y.Sun,All-solid-statesynaptictransistorwithultralowconductanceforneuromorphiccomputing,Adv.Func.Mater.28,1804170(2018)3、C.S.Yang,D.S.Shang,*N.Liu,G.Shi,X.Shen,R.C.Ru,Y.Q.Li,andY.Sun,Asynaptictransistorbasedonquasi-2Dmolybdenumoxide,Adv.Mater.29,1700906(2017)本文由大兵哥供稿。此外,规则随着机器学习的不断发展,深度学习的概念也时常出现在我们身边。

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